米Intel、3次元トランジスタ技術の量産を年内に開始


▼ページ最下部
※省略されてます すべて表示...
029 2011/05/16(月) 01:24:20 ID:ZGIeRyJRAA
電力減少=熱減少(TDP低下)

今回、回路を3次元化したことの一番の意義は、2つ。

1つは、異種半導体の接触点(以下、「接点」)の面積を広く取れて、その部分の電気抵抗が下がったこと。
自分で自宅や車の電気配線をする人は分かると思うが、接触不良の部分は熱くなるだろう。
それと同じ原理だ。

もう1点は、>>1の写真、車のラジエターに少し似てるように思わないか?
3次元(盛り付け)配線にしたことによって、全体的な表面積を稼いでいる。
当然、冷却には有利。

以上が、>>27で「高クロック化再び」と自分が予想した根拠。

返信する


▲ページ最上部

ログサイズ:29 KB 有効レス数:68 削除レス数:0





パソコン・周辺機器掲示板に戻る 全部 前100 次100 最新50

スレッドタイトル:米Intel、3次元トランジスタ技術の量産を年内に開始

レス投稿

未ログイン (ログイン

↑画像ファイル(jpg,gif,png)