Intel、東芝、Samsungが半導体微細化で共同開発
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Samsungと東芝——NAND型フラッシュメモリでそれぞれ世界第1位と第2位——は、世界最大の半導体メーカーであるIntelと協力して、
近くコンソーシアムを結成し半導体の回路幅を2016年までに10ナノメートル（nm）近くにまで微細化する技術を共同開発すると、日本経済新聞が報じた。
日本経済産業省はこの研究開発プロジェクトに対し、約100億円の初期資金のうちおよそ50億円を提供する可能性が高く、残る資金はコンソーシアム加盟社
が出資する見込みだと同紙は報じている。
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/1010/29/news021....
近くコンソーシアムを結成し半導体の回路幅を2016年までに10ナノメートル（nm）近くにまで微細化する技術を共同開発すると、日本経済新聞が報じた。
日本経済産業省はこの研究開発プロジェクトに対し、約100億円の初期資金のうちおよそ50億円を提供する可能性が高く、残る資金はコンソーシアム加盟社
が出資する見込みだと同紙は報じている。
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/1010/29/news021....
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